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但是靶材制作困难，这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用zro2、bi2o3、ceo等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，银环厂家，这种方式形成的ito薄膜的性能与添加剂的关系---。日本的科学家采用bizo作为添加剂，大连银环，bi2o3在820cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ito靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸300衄口的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有---的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，有银环，薄膜的纯度与靶材的纯度关系---，过99.995%4n5纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
超纯金属的检测方法---困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级10克/克、毫微克级10克/克、微微克级10克/克杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析，原子吸收光谱分析，荧光分光光度分析，质谱分析，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起---影响，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。
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